一、前言：超越三星B-Die的國產(chǎn)長鑫A-Die顆粒

4266MHz頻率的DDR4內(nèi)存并不少，但是能在能做到4266MHz C18同時將電壓控制在1.35V的，大名鼎鼎的三星B-Die不行，海力士DJR不行，美光B-Die同樣也不行。

唯一能夠做到的，也許你絕對想象不到，會是國產(chǎn)的長鑫A-Die顆粒!

近段時間，朗科推出了基于長鑫A-Die顆粒的絕影RGB DDR4-4266內(nèi)存，時序CL18-22-22-42，電壓1.35V。

朗科絕影RGB DDR4 4266MHz內(nèi)存的時序和電壓已經(jīng)足夠低了，在這個基礎(chǔ)上，它還擁有令人咋舌的超頻能力，其超頻能力之強(qiáng)，令特挑的三星B-Die也望塵莫及。

關(guān)于超頻，我們在后面的篇幅會進(jìn)行非常詳盡的介紹和測試。

除了強(qiáng)勁的超頻能力之外，絕影RGB DDR4內(nèi)存在燈光效果方面也非常用心。

朗科在內(nèi)存的PCB板上集成了一顆ENE 6K5830UA0芯片，用于控制燈效，可以實(shí)現(xiàn)神光同步，也能讓玩家自由設(shè)置RGB燈效。

目前市面上絕大多數(shù)支持RGB燈效的內(nèi)存都沒有專門的控制芯片，也就是說無法讓玩家控制燈效，當(dāng)然也無法做到神光同步效果。

朗科絕影RGB DDR4 4266MHz內(nèi)存參數(shù)如下：

二、外觀：電鍍銀工藝+ RGB燈效賞析

朗科絕影RGB DDR4采用對稱式設(shè)計(jì)理念，散熱馬甲采用的是0.8mm 5052鋁材，經(jīng)沖壓一體成型，最后再使用電鍍銀工藝進(jìn)行處理，

中間是絕影Logo。

頂部的導(dǎo)光柱也做了電鍍銀處理，整條內(nèi)存看上去渾然一體。

內(nèi)存采用單面設(shè)計(jì)，一面有8顆內(nèi)存顆粒。

另一面是空的。

特挑的長鑫A-Die顆粒。

放在鑫谷斜杠青年mini機(jī)箱內(nèi)的裝機(jī)效果圖。

三、超頻測試：1.35V穩(wěn)超4600C19

測試平臺如下：

1、性能測試

CPU-Z可以檢測出一部分參數(shù)，朗科制造、長鑫顆粒。

內(nèi)置有2組XMP參數(shù)，分別是4266MHz 19-26-26-46和4266MHz 18-22-22-42，電壓都是1.35V。

2組XMP設(shè)置分別組了測試，以下測試都是基于Gear 2模式。

4266MHz 18-22-22-42 下，內(nèi)存讀取、寫入復(fù)制帶寬分別為62GB/s、61.7GB/s、58GB/s，延遲55.1ns。

4266MHz 19-26-26-46下，寫入復(fù)制帶寬分別為61GB/s、61.5GB/s、57GB/s，延遲62.3ns。

這里的讀寫速度變化不大，主要是延遲增加了不少，從55.1ns直接到了62.3ns。

2、超頻測試

在XMP1模式下超頻到4600MHz時，時序不變，電壓依舊是1.35V，VCCIO與VCCSA電壓自動，分別為1.056V和1.312V。

實(shí)測內(nèi)存讀取、寫入、復(fù)制速度分別為65.8GB/s、66GB/s、62GB/s，延遲54.2ns。

超頻到4800MHz時，時序還是19-26-26-46，但需要將電壓加到1.45V才能穩(wěn)定，VCCIO與VCCSA電壓依然是1.056V和1.312V。

實(shí)測內(nèi)存讀取、寫入、復(fù)制帶寬分別是69GB/s、69GB/s、64.5GB/s，延遲為52.5ns。

3、穩(wěn)定性測試

使用Memtest Pro 4.3測試超頻后的穩(wěn)定性，運(yùn)行了近2個小時，進(jìn)度達(dá)到了270%依然是0報錯，證明了朗科絕影RGB DDR4-4266內(nèi)存可以在1.45V的電壓下能穩(wěn)定在4800MHz C19頻率下運(yùn)行。

四、總結(jié)：高頻低時序DDR4會是游戲玩家首選

隨著DDR5時代的來臨，DDR4內(nèi)存看似已經(jīng)出淪為明日黃花，但是如今DDR5內(nèi)存也有明顯的缺點(diǎn)。

第一是價格太貴，就算是如今價格大降之后，其售價依然是同容量DDR4內(nèi)存的1.5~2倍。

第二是延遲太高，DDR5內(nèi)存大都CL40起步，過高的時序和延遲導(dǎo)致即便是5200MHz頻率的DDR5內(nèi)存，其游戲性能也僅僅只是與低時序的DDR4 3600MHz相當(dāng)。

考慮到12代酷睿和未來的13代酷睿處理器依舊支持DDR4內(nèi)存，而高頻的DDR4內(nèi)存憑借其極低的延遲，游戲性能可以輕松碾壓DDR5，所以近一兩年對于游戲玩家來說，仍然可以優(yōu)先考慮高頻低時序的DDR4內(nèi)存。

再來說說朗科絕影RGB DDR4-4266內(nèi)存。

1.35V 4266MHz C18已經(jīng)令人嘆為觀止了，然而經(jīng)過超頻我們發(fā)現(xiàn)，它竟然能在1.35V電壓下超頻到4600MHz C19。

單論這個成績，可以花式吊打各類特挑的B-Die、CJR、DJR內(nèi)存，長鑫顆粒能夠做到這樣的程度，是我們先前沒有想到的。

三星B-Die要達(dá)到同樣的頻率和時序，可能需要1.5V、1.6V甚至更高的電壓。

如果繼續(xù)往上超，絕影DDR4 4266MHz內(nèi)存需要1.45V的電壓才能到4800MHz C19，此時內(nèi)存的讀寫帶寬已經(jīng)逼近70GB/s，而延遲更是只有52ns。

相比之下，DDR5 4800MHz C40的帶寬雖然也有70GB/s，但其延遲則高達(dá)85ns，游戲性能被4800C19的DDR4內(nèi)存甩了幾條街。

當(dāng)前，如果12代酷睿是追求極致的游戲性能，顯然高頻的DDR4內(nèi)存會是更合適的選擇。

關(guān)鍵詞： 朗科絕影 RGBDDR4內(nèi)存評測 朗科內(nèi)存評測 超越三星